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SI2365EDS-T1-GE3 Vishay Pチャンネル パワーMOSFET VISHAY 48816496
VISHAY
Vishay Pチャンネル パワーMOSFET
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注文コード48816496
品番SI2365EDS-T1-GE3
内容量1リール(3000個)
参考基準価格(税別)オープン
単価(税別)
¥41,980
仕様:PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor
動作温度(℃):(Min)-50
RoHS指令(10物質対応):対応
パッケージ:SOT-23 (TO-236)
実装タイプ:表面実装
チャンネルタイプ:P
最大パワー消費(W):1.7
チャンネルモード:エンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A):4.7
最大ドレイン-ソース間電圧(V):20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ):67.5
最小ゲートしきい値電圧(V):0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V):-8、+8
トランジスタ構成:シングル
カテゴリー:パワーMOSFET
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