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SiDR392DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Nチャンネル パワーMOSFET VISHAY SILICONIX 48816864
VISHAY SILICONIX
Vishay Siliconix Nチャンネル パワーMOSFET
注文コード48816864
品番SiDR392DP-T1-GE3
内容量1袋(5個)
参考基準価格(税別)オープン
単価(税別)
¥2,798
ピン数(ピン):8
動作温度(℃):(Min)-55
パッケージ:SO-8
実装タイプ:表面実装
チャンネルタイプ:N
最大パワー消費(W):125
チャンネルモード:エンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A):100
最大ドレイン-ソース間電圧(V):30
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω):0.0009
最大ゲートしきい値電圧(V):2.2
最小ゲートしきい値電圧(V):1
最大ゲート-ソース間電圧(V):+20、+6
カテゴリー:パワーMOSFET
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