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SiA110DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix Nチャンネル パワーMOSFET VISHAY SILICONIX 48816907
VISHAY SILICONIX
Vishay Siliconix Nチャンネル パワーMOSFET
取り扱い終了 代引不可
大変申し訳ございませんが、この商品は取り扱いを終了いたしました。
注文コード48816907
品番SiA110DJ-T1-GE3
内容量1袋(10個)
参考基準価格(税別)オープン
パッケージ:SC-70
実装タイプ:表面実装
1チップ当たりのエレメント数:1
チャンネルタイプ:N
最大パワー消費(W):19
チャンネルモード:エンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A):12
最大ドレイン-ソース間電圧(V):100
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω):0.07
最大ゲートしきい値電圧(V):4
最小ゲートしきい値電圧(V):2
最大ゲート-ソース間電圧(V):±20
トランジスタ構成:シングル
カテゴリー:パワーMOSFET
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