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SiRA10BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix Nチャンネル パワーMOSFET VISHAY SILICONIX 48817318
VISHAY SILICONIX
Vishay Siliconix Nチャンネル パワーMOSFET
取り扱い終了 代引不可
大変申し訳ございませんが、この商品は取り扱いを終了いたしました。
注文コード48817318
品番SiRA10BDP-T1-GE3
内容量1袋(25個)
参考基準価格(税別)オープン
動作温度(℃):(Min)-55
パッケージ:SO-8
実装タイプ:表面実装
チャンネルタイプ:N
最大パワー消費(W):43
チャンネルモード:エンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A):60
最大ドレイン-ソース間電圧(V):30
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω):0.005
最大ゲートしきい値電圧(V):1.2
最小ゲートしきい値電圧(V):2.4
最大ゲート-ソース間電圧(V):-16、+20
トランジスタ構成:シングル
カテゴリー:パワーMOSFET
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