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SiDR622DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Nチャンネル パワーMOSFET VISHAY SILICONIX 48817345
VISHAY SILICONIX
Vishay Siliconix Nチャンネル パワーMOSFET
取り扱い終了 代引不可
大変申し訳ございませんが、この商品は取り扱いを終了いたしました。
注文コード48817345
品番SiDR622DP-T1-GE3
内容量1袋(5個)
参考基準価格(税別)オープン
シリーズ:TrenchFET
ピン数(ピン):8
パッケージ:SO-8
実装タイプ:表面実装
チャンネルタイプ:N
最大パワー消費(W):125
チャンネルモード:エンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A):64.6
最大ドレイン-ソース間電圧(V):150
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω):0.02
最大ゲートしきい値電圧(V):4.5
最小ゲートしきい値電圧(V):2.5
最大ゲート-ソース間電圧(V):±20
カテゴリー:パワーMOSFET
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