チャンネルタイプP最大連続ドレイン電流(A)28最大ドレイン-ソース間電圧(V)80最小ゲートしきい値電圧(V)1最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20パッケージPowerPAK SO実装タイプ表面実装チャンネルモードエンハンスメント型カテゴリーパワーMOSFET最大パワー消費(W)83ピン数(ピン)8最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)29標準ゲートチャージ105nC@10V仕様PチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen IV、Vishay SemiconductorsRoHS指令(10物質対応)対応