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SiSH617DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Pチャンネル パワーMOSFET VISHAY SILICONIX 48817668
VISHAY SILICONIX
Vishay Siliconix Pチャンネル パワーMOSFET
取り扱い終了 代引不可
大変申し訳ございませんが、この商品は取り扱いを終了いたしました。
注文コード48817668
品番SiSH617DN-T1-GE3
内容量1リール(3000個)
参考基準価格(税別)オープン
チャンネルタイプ:P
最大連続ドレイン電流(A):35
最大ドレイン-ソース間電圧(V):30
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω):0.02
最大ゲートしきい値電圧(V):2.5
最小ゲートしきい値電圧(V):1.2
最大ゲート-ソース間電圧(V):±25
パッケージ:1212
実装タイプ:表面実装
トランジスタ構成:シングル
チャンネルモード:エンハンスメント型
カテゴリー:パワーMOSFET
最大パワー消費(W):52
標準入力キャパシタンス(pF):1800@-15V
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