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| https://www.monotaro.com/p/4881/7704/ | 2026/07/11 12:27:44 |
 | VISHAY SILICONIX Vishay Siliconix Pチャンネル パワーMOSFET |
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| チャンネルタイプ: | P |
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| 最大連続ドレイン電流(A): | 9.4 |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(V): | 200 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω): | 0.76 |
| 最大ゲートしきい値電圧(V): | 3.5 |
| 最小ゲートしきい値電圧(V): | 2.5 |
| 最大ゲート-ソース間電圧(V): | ±20 |
| パッケージ: | SO-8 |
| 実装タイプ: | 表面実装 |
| トランジスタ構成: | シングル |
| チャンネルモード: | エンハンスメント型 |
| カテゴリー: | パワーMOSFET |
| 最大パワー消費(W): | 68 |
| シリーズ: | TrenchFET |
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