ピン数(ピン)8パッケージSO-8実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)34(Nチャンネル)、34(Pチャンネル)チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)30(Nチャンネル)、30(Pチャンネル)最大ドレイン-ソース間電圧(V)40(Nチャンネル)、40(Pチャンネル)最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)0.03最大ゲートしきい値電圧(V)2.5最小ゲートしきい値電圧(V)1.5最大ゲート-ソース間電圧(V)±20標準ゲートチャージ18nC@10V(Nチャンネル),56nC@10V(Pチャンネル)カテゴリーパワーMOSFET