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| https://www.monotaro.com/p/4882/3198/ | 2026/06/24 02:08:26 |
 | VISHAY Vishay ショットキーバリアダイオード ショットキー |
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| 仕様: | TMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、最大20 A、Vishay Semiconductor. VishayのTrench MOSバリアショットキー(TMBS)整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特長. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現 |
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| 長さ(mm): | 10.45 |
| 幅(mm): | 9.14 |
| 高さ(mm): | 4.83 |
| タイプ: | ショットキー |
| ピン数(ピン): | 3 |
| ダイオード: | シングル |
| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
| パッケージ: | D2PAK (TO-263) |
| 実装タイプ: | 表面実装 |
| 1チップ当たりのエレメント数: | 1 |
| 最大順方向降下電圧(mV): | 800 |
| ピーク逆繰返し電圧(V): | 100 |
| ピーク非繰返し順方向サージ電流(A): | 150 |
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