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SI1965DH-T1-GE3 Vishay デュアル Pチャンネル パワーMOSFET VISHAY 48840619
VISHAY
Vishay デュアル Pチャンネル パワーMOSFET
取り扱い終了 代引不可
大変申し訳ございませんが、この商品は取り扱いを終了いたしました。
注文コード48840619
品番SI1965DH-T1-GE3
内容量1リール(3000個)
参考基準価格(税別)オープン
仕様:デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
動作温度(℃):(Max)+150
パッケージ:SOT-363 (SC-88)
実装タイプ:表面実装
チャンネルタイプ:P
最大パワー消費(W):1.25
チャンネルモード:エンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A):1.2
最大ドレイン-ソース間電圧(V):12
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ):710
最小ゲートしきい値電圧(V):0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V):-8、+8
トランジスタ構成:絶縁型
カテゴリー:パワーMOSFET
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