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SI5935CDC-T1-GE3 Vishay デュアル Pチャンネル パワーMOSFET VISHAY 48840664
VISHAY
Vishay デュアル Pチャンネル パワーMOSFET
取り扱い終了
大変申し訳ございませんが、この商品は取り扱いを終了いたしました。
注文コード48840664
品番SI5935CDC-T1-GE3
内容量1リール(3000個)
参考基準価格(税別)オープン
仕様:デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
ピン数(ピン):8
RoHS指令(10物質対応):対応
パッケージ:1206 ChipFET
実装タイプ:表面実装
チャンネルタイプ:P
最大パワー消費(W):3.1
チャンネルモード:エンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A):3.8
最大ドレイン-ソース間電圧(V):20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ):156
最小ゲートしきい値電圧(V):0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V):-8、+8
標準ゲートチャージ:7nC@5V
カテゴリー:パワーMOSFET
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