| 仕様: | シリーズ：WE-PMI 、 インダクタンス：1 μH 、 許容差：±20% 、 最大直流電流：1.1A 、 最大自己共振周波数：100MHz 、 パッケージ/ケース：0805 (2012M) 、 最大直流抵抗：190mΩ 、 寸法：2 x 1.25 x 0.5mm 、 奥行き：1.25mm 、 高さ：0.5mm 、 長さ：2mm 、 動作温度 Max：+125℃ 、 シールド：なし 、 Wurth 0805 WE-PMI(低プロファイル)シリーズ積層パワーインダクタ. 0805 WE-PMIシリーズ低プロファイル積層パワーインダクタで、クロストークを除去する閉磁路構造が採用されています。 これらのWE-PMI積層パワーインダクタは、最大1.8 Aの高電流用途に適していて、DCR値は0.2 Ω未満、動作温度範囲は-40 → +125 ℃です。 これらの0805 WE-PMI積層パワーインダクタの標準的な用途には、>1 MHzの高スイッチング周波数のDC/DCコンバータ及びPDAやデジタルカメラなどのポータブルデバイスがあります。. コンパクトな多層表面実装チップビーズチョーク、クロストークを遮断するための磁気シールド付き 最大1.8 Aの高電流用途に最適 DCR値: 0.2 Ω未満 動作温度範囲: -40 → +125 ℃ リフローはんだ付け用に推奨 |
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