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2026/05/10 12:02:13

BFP650H6327XTSA1 Infineon NPN トランジスタ INFINEON 49240696

INFINEON
Infineon NPN トランジスタ

大変申し訳ございませんが、この商品は取り扱いを終了いたしました。

注文コード	49240696
品番	BFP650H6327XTSA1
内容量	1袋(15個)
参考基準価格(税別)	オープン

仕様：	トランジスタタイプ：NPN●最大DCコレクタ電流：150 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧：13 V●パッケージタイプ：SOT-343●実装タイプ：表面実装●最大パワー消費：500 mW●最小DC電流ゲイン：100●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧：13 V●最大エミッタ-ベース間電圧：1.2 V●ピン数：4●1チップ当たりのエレメント数：1●幅：1.25mm●SiGe RFバイポーラトランジスタ、Infineon. Infineonの超低ノイズワイドバンドNPNバイポーラRFトランジスタ製品です。このヘテロ接合バイポーラデバイスは、Infineonのシリコンゲルマニウムカーボン(SiGe:C)素材技術を採用しており、特に低電力消費が重要な要件となるモバイル用途に適しています。代表的な遷移周波数が最大65 GHzのこのデバイスをアンプとして使用すると、最大10 GHzの周波数で高出力ゲインが得られます。このトランジスタには、ESD及び過度のRF入力電力に対する保護用の内部回路が用意されています。

仕様：

トランジスタタイプ：NPN●最大DCコレクタ電流：150 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧：13 V●パッケージタイプ：SOT-343●実装タイプ：表面実装●最大パワー消費：500 mW●最小DC電流ゲイン：100●トランジスタ構成：シングル●最大コレクタ-ベース間電圧：13 V●最大エミッタ-ベース間電圧：1.2 V●ピン数：4●1チップ当たりのエレメント数：1●幅：1.25mm●SiGe RFバイポーラトランジスタ、Infineon. Infineonの超低ノイズワイドバンドNPNバイポーラRFトランジスタ製品です。このヘテロ接合バイポーラデバイスは、Infineonのシリコンゲルマニウムカーボン(SiGe:C)素材技術を採用しており、特に低電力消費が重要な要件となるモバイル用途に適しています。代表的な遷移周波数が最大65 GHzのこのデバイスをアンプとして使用すると、最大10 GHzの周波数で高出力ゲインが得られます。このトランジスタには、ESD及び過度のRF入力電力に対する保護用の内部回路が用意されています。