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仕様：
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トランジスタタイプ：NPN 、 最大DCコレクタ電流：80 mA 、 最大コレクタ- エミッタ間電圧：2.3 V 、 パッケージタイプ：SOT-343 、 実装タイプ：表面実装 、 最大パワー消費：185 mW 、 最小DC電流ゲイン：110 、 トランジスタ構成：シングル 、 最大コレクタ-ベース間電圧：7.5 V 、 最大エミッタ-ベース間電圧：1.2 V 、 ピン数：4 、 1チップ当たりのエレメント数：1 、 動作温度 Min：-65 ℃ 、 SiGe RFバイポーラトランジスタ、Infineon. Infineonの超低ノイズワイドバンドNPNバイポーラRFトランジスタ製品です。 このヘテロ接合バイポーラデバイスは、Infineonのシリコンゲルマニウムカーボン(SiGe:C)素材技術を採用しており、特に低電力消費が重要な要件となるモバイル用途に適しています。 代表的な遷移周波数が最大65 GHzのこのデバイスをアンプとして使用すると、最大10 GHzの周波数で高出力ゲインが得られます。 このトランジスタには、ESD及び過度のRF入力電力に対する保護用の内部回路が用意されています。
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