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仕様：
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最大連続コレクタ電流：10 A 、 最大コレクタ- エミッタ間電圧：600 V 、 最大ゲート-エミッタ間電圧：±20V 、 最大パワー消費：110 W 、 パッケージタイプ：D2PAK (TO-263) 、 実装タイプ：表面実装 、 チャンネルタイプ：N 、 ピン数：3 、 スイッチングスピード：1MHz 、 トランジスタ構成：シングル 、 長さ：10.31mm 、 幅：9.45mm 、 高さ：4.57mm 、 寸法：10.31 x 9.45 x 4.57mm 、 動作温度 Min：-40 ℃ 、 Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 / 650 V. InfineonのIGBTトランジスタは、600 / 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop(TM)技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。 コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 → 650 V VCEsatが非常に低い ターンオフ損失が低い ショートテール電流 低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃
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