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仕様：
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チャンネルタイプ：N 、 最大連続ドレイン電流：100 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧：60 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗：3.1 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧：4V 、 最低ゲートしきい値電圧：2V 、 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V 、 パッケージタイプ：TDSON 、 実装タイプ：表面実装 、 ピン数：8 、 チャンネルモード：エンハンスメント型 、 最大パワー消費：139 W 、 動作温度 Max：+150 ℃ 、 Infineon OptiMOS?3個のパワーMOSFET、60 → 80 V. OptiMOS?製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. 高速スイッチングMOSFET、SMPS用 DC/DCコンバータ用に最適化された技術 対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル、ロジックレベル 優れたゲート電荷量 x R DS(on)製品(FOM) 超低オン抵抗 R DS(on) 鉛フリーめっき
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