|
仕様：
|
チャンネルタイプ：N 、 最大連続ドレイン電流：180 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧：30 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗：1.3 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧：2.2V 、 最低ゲートしきい値電圧：1V 、 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V 、 パッケージタイプ：D2PAK (TO-263) 、 実装タイプ：表面実装 、 ピン数：7 、 チャンネルモード：エンハンスメント型 、 最大パワー消費：250 W 、 動作温度 Min：-55 ℃ 、 Infineon OptiMOS(TM)3パワーMOSFET、最大40 V. OptiMOS(TM)製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。高速スイッチングMOSFET、SMPS用 DC/DCコンバータ用に最適化された技術 対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル、ロジックレベル 優れたゲート電荷量 x R DS(on)製品(FOM) 超低オン抵抗 R DS(on) 鉛フリーめっき
|
