| 仕様: | チャンネルタイプ：N、最大連続ドレイン電流：20 A、最大ドレイン-ソース間電圧：60 V、最大ドレイン-ソース間抵抗：12.1 mΩ、最大ゲートしきい値電圧：2.2V、最低ゲートしきい値電圧：1.2V、最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V、パッケージタイプ：TSDSON、実装タイプ：表面実装、ピン数：8、チャンネルモード：エンハンスメント型、最大パワー消費：69 W、幅：3.4mm、Infineon OptiMOS(TM)3個のパワーMOSFET、60 → 80 V. OptiMOS(TM)製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。高速スイッチングMOSFET、SMPS用 DC/DCコンバータ用に最適化された技術 対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル、ロジックレベル 優れたゲート電荷量 x R DS(on)製品(FOM) 超低オン抵抗 R DS(on) 鉛フリーめっき |
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