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2026/05/20 08:23:28

BSC123N10LSGATMA1 Infineon Nチャンネル MOSFET INFINEON 49243873

INFINEON
Infineon Nチャンネル MOSFET

大変申し訳ございませんが、この商品は取り扱いを終了いたしました。

注文コード	49243873
品番	BSC123N10LSGATMA1
内容量	1袋(2個)
参考基準価格(税別)	オープン

仕様：	チャンネルタイプ：N、最大連続ドレイン電流：71 A、最大ドレイン-ソース間電圧：100 V、最大ドレイン-ソース間抵抗：16.6 mΩ、最大ゲートしきい値電圧：2.4V、最低ゲートしきい値電圧：1.2V、最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V、パッケージタイプ：TDSON、実装タイプ：表面実装、ピン数：8、チャンネルモード：エンハンスメント型、最大パワー消費：114 W、1チップ当たりのエレメント数：1、Infineon OptiMOS(TM)2パワーMOSFETファミリ. Infineonの OptiMOS(TM)2 Nチャンネルファミリは、同社の電圧グループ内で最も低いON抵抗を実現しています。 Power MOSFETシリーズは、高周波通信、データ通信、太陽光発電、低電圧デバイス、サーバー電源を含む多くの用途で使用できます。 OptiMOS 2 製品ファミリの範囲は20 V以上です。様々なパッケージタイプが揃っています。

仕様：

チャンネルタイプ：N、最大連続ドレイン電流：71 A、最大ドレイン-ソース間電圧：100 V、最大ドレイン-ソース間抵抗：16.6 mΩ、最大ゲートしきい値電圧：2.4V、最低ゲートしきい値電圧：1.2V、最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V、パッケージタイプ：TDSON、実装タイプ：表面実装、ピン数：8、チャンネルモード：エンハンスメント型、最大パワー消費：114 W、1チップ当たりのエレメント数：1、Infineon OptiMOS(TM)2パワーMOSFETファミリ. Infineonの OptiMOS(TM)2 Nチャンネルファミリは、同社の電圧グループ内で最も低いON抵抗を実現しています。 Power MOSFETシリーズは、高周波通信、データ通信、太陽光発電、低電圧デバイス、サーバー電源を含む多くの用途で使用できます。 OptiMOS 2 製品ファミリの範囲は20 V以上です。様々なパッケージタイプが揃っています。