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| https://www.monotaro.com/p/4924/3934/ | 2026/07/08 11:11:46 |
 | INFINEON Infineon Nチャンネル MOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：88 A●最大ドレイン-ソース間電圧：200 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：11 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：4V●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：D2PAK (TO-263)●実装タイプ：表面実装●トランジスタ構成：シングル●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大パワー消費：300 W●高さ：4.57mm●Infineon OptiMOS(TM)3パワーMOS(TM)ET、100 V以上 |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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