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![]() | INFINEON Infineon Nチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:100 A●最大ドレイン-ソース間電圧:150 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:7.7 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:4V●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大ゲート-ソース間電圧:20 V●パッケージタイプ:TO-220●実装タイプ:スルーホール●ピン数:3 + Tab●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:300 W●標準ターンオン遅延時間:25 ns |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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