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| https://www.monotaro.com/p/4924/4783/ | 2026/11/06 22:02:15 |
 | INFINEON Infineon Nチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ：N 最大連続ドレイン電流：100 、 最大ドレイン-ソース間電圧：150 、 最大ドレイン-ソース間抵抗：7.7 mΩ 最大ゲートしきい値電圧：4V 最低ゲートしきい値電圧：2V 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 、 パッケージタイプ：D2PAK (TO-263) 実装タイプ：表面実装 ピン数：3 チャンネルモード：エンハンスメント型 カテゴリー：パワーMOS(TM)ET 最大パワー消費：300 、 動作温度 Max：+175 、 Infineon OptiMOS(TM)3パワーMOS(TM)ET、100 V以上 |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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