| 仕様: | チャンネルタイプ：N 最大連続ドレイン電流：100 、 最大ドレイン-ソース間電圧：60 、 最大ドレイン-ソース間抵抗：5.2 mΩ 最大ゲートしきい値電圧：2.2V 最低ゲートしきい値電圧：1.2V 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 、 パッケージタイプ：DPAK (TO-252) 実装タイプ：表面実装 ピン数：3 チャンネルモード：エンハンスメント型 カテゴリー：パワーMOS(TM)ET 最大パワー消費：167 、 動作温度 Min：-55 、 Infineon OptiMOS(TM)3個のパワーMOS(TM)ET、60 80 V. OptiMOS(TM)製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. 高速スイッチングMOS(TM)ET、SMPS用 DC/DCコンバータ用に最適化された技術 対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル、ロジックレベル 優れたゲート電荷量 R DS(on)製品(FOM) 超低オン抵抗 DS(on) 鉛フリーめっき |
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