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| https://www.monotaro.com/p/4924/5054/ | 2026/07/07 05:09:01 |
 | INFINEON Infineon Nチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：100 A●最大ドレイン-ソース間電圧：25 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：1.25 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：2V●最低ゲートしきい値電圧：1.2V●最大ゲート-ソース間電圧：+16 V●パッケージタイプ：SuperSO●実装タイプ：表面実装●トランジスタ構成：シングル●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOS(TM)ET●最大パワー消費：74 W●トランジスタ素材：Si●Infineon OptiMOS(TM)5パワーMOS(TM)ET |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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