Infineon NチャンネルパワーMOSFET INFINEON - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

https://www.monotaro.com/p/4924/5264/

2026/05/11 00:54:36

BSC010NE2LSATMA1 Infineon NチャンネルパワーMOSFET INFINEON 49245264

INFINEON
Infineon NチャンネルパワーMOSFET

7日出荷とは

5月24日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は919,800円となります。

注文コード	49245264
品番	BSC010NE2LSATMA1
内容量	1リール(5000個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥799,800

仕様：	チャンネルタイプ：N 、最大連続ドレイン電流：100 A 、最大ドレイン-ソース間電圧：25 V 、最大ドレイン-ソース間抵抗：1.3 mΩ 、最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V 、パッケージタイプ：TDSON 、実装タイプ：表面実装、ピン数：8 、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET 、最大パワー消費：96 W 、トランジスタ素材：Si 、 Infineon OptiMOS パワーMOSFETファミリ. OptiMOS 製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. Nチャンネル - 強化モード車載AEC Q101認定 MSL1最大260 ℃のピークリフロー 175 ℃の動作温度環境配慮製品(鉛フリー) 超低Rds(on)

仕様：

チャンネルタイプ：N 、最大連続ドレイン電流：100 A 、最大ドレイン-ソース間電圧：25 V 、最大ドレイン-ソース間抵抗：1.3 mΩ 、最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V 、パッケージタイプ：TDSON 、実装タイプ：表面実装、ピン数：8 、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET 、最大パワー消費：96 W 、トランジスタ素材：Si 、 Infineon OptiMOS パワーMOSFETファミリ. OptiMOS 製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. Nチャンネル - 強化モード車載AEC Q101認定 MSL1最大260 ℃のピークリフロー 175 ℃の動作温度環境配慮製品(鉛フリー) 超低Rds(on)