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| https://www.monotaro.com/p/4924/5377/ | 2026/11/06 04:12:22 |
 | INFINEON Infineon Nチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ：N 最大連続ドレイン電流：100 、 最大ドレイン-ソース間電圧：30 、 最大ドレイン-ソース間抵抗：0.0014 、 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 、 パッケージタイプ：TDSON 実装タイプ：表面実装 トランジスタ構成：シングル チャンネルモード：エンハンスメント型 カテゴリー：パワーMOS(TM)ET 最大パワー消費：96 、 トランジスタ素材：Si Infineon OptiMOS(TM)パワーMOS(TM)ETファミリ. OptiMOS(TM)製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. Nチャンネル 強化モード 車載AEC Q101認定 MSL1最大260 ℃のピークリフロー 175 ℃の動作温度 環境配慮製品(鉛フリー) 超低Rds(on) |
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