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仕様：
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チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：100 A●最大ドレイン-ソース間電圧：80 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：0.0089 Ω●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：TDSON●実装タイプ：表面実装●ピン数：8●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOS(TM)ET●最大パワー消費：125 W●1チップ当たりのエレメント数：1●Infineon OptiMOS(TM)3個のパワーMOS(TM)ET、60 80 V. OptiMOS(TM)製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. 高速スイッチングMOS(TM)ET、SMPS用 DC/DCコンバータ用に最適化された技術 対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル、ロジックレベル 優れたゲート電荷量 R DS(on)製品(FOM) 超低オン抵抗 DS(on) 鉛フリーめっき
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