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| https://www.monotaro.com/p/4924/5596/ | 2026/11/06 04:19:13 |
 | INFINEON Infineon Nチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：106 A●最大ドレイン-ソース間電圧：75 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：7.5 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：4V●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：D2PAK (TO-263)●実装タイプ：表面実装●ピン数：3●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：200 W●1チップ当たりのエレメント数：1●NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。 |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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