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| https://www.monotaro.com/p/4924/6147/ | 2026/05/10 04:10:47 |
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INFINEON
Infineon Nチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様： | チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：12 A●最大ドレイン-ソース間電圧：60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：9.4 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：4.9V●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：SOIC●実装タイプ：表面実装●ピン数：8●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：2.5 W●トランジスタ素材：Si●NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。 |
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| RoHS指令(10物質対応)： | 対応 |
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