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| https://www.monotaro.com/p/4924/6366/ | 2026/05/08 17:00:52 |
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INFINEON
Infineon Nチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:120 A●最大ドレイン-ソース間電圧:100 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:4.5 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:3.5V●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:D2PAK (TO-263)●実装タイプ:表面実装●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOS(TM)ET●最大パワー消費:300 W●トランジスタ素材:Si●Infineon OptiMOS(TM)3パワーMOS(TM)ET、100 V以上 |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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