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| https://www.monotaro.com/p/4924/6603/ | 2026/05/30 00:10:51 |
 | INFINEON Infineon Nチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：127 A●最大ドレイン-ソース間電圧：100 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：6 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：4V●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：D2PAK (TO-263)●実装タイプ：表面実装●ピン数：3●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：250 W●トランジスタ素材：Si●NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。 |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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