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![]() | INFINEON Infineon Nチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ:N 、 最大連続ドレイン電流:130 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧:150 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗:6.8 mΩ 、 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V 、 パッケージタイプ:D2PAK (TO-263) 、 実装タイプ:表面実装 、 ピン数:7 、 チャンネルモード:エンハンスメント型 、 カテゴリー:パワーMOSFET 、 最大パワー消費:300 W 、 動作温度 Max:+175 ℃ 、 Infineon OptiMOS(TM)3パワーMOSFET、100 V以上 |
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