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 | INFINEON Infineon Nチャンネル 小信号 MOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ：N 、 最大連続ドレイン電流：190 mA 、 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗：10 Ω 、 最大ゲートしきい値電圧：1.8V 、 最低ゲートしきい値電圧：0.8V 、 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V 、 パッケージタイプ：SOT-23 、 実装タイプ：表面実装 、 ピン数：3 、 チャンネルモード：エンハンスメント型 、 カテゴリー：小信号 、 最大パワー消費：500 mW 、 動作温度 Max：+150 ℃ 、 Infineon OptiMOS(TM)小信号MOSFET |
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