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| https://www.monotaro.com/p/4925/8905/ | 2026/07/12 01:19:22 |
 | INFINEON Infineon Nチャンネル 小信号 MOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ：N●最大連続ドレイン電流：2.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧：20 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：85 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：1.2V●最低ゲートしきい値電圧：0.7V●最大ゲート-ソース間電圧：-12 V， +12 V●パッケージタイプ：SOT-23●実装タイプ：表面実装●トランジスタ構成：シングル●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：小信号●最大パワー消費：500 mW●標準ターンオフ遅延時間：11 ns●Infineon OptiMOS(TM)2パワーMOS(TM)ETファミリ. Infineonの OptiMOS(TM)2 Nチャンネルファミリは、同社の電圧グループ内で最も低いON抵抗を実現しています。 Power MOS(TM)ETシリーズは、高周波通信、データ通信、太陽光発電、低電圧デバイス、サーバー電源を含む多くの用途で使用できます。 OptiMOS(TM)製品ファミリの範囲は20 V以上です。様々なパッケージタイプが揃っています。 |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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