| 仕様: | チャンネルタイプ：N 最大連続ドレイン電流：540 mA 最大ドレイン-ソース間電圧：55 、 最大ドレイン-ソース間抵抗：825 mΩ 最大ゲートしきい値電圧：2V 最低ゲートしきい値電圧：1.2V 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 、 パッケージタイプ：SOT-23 実装タイプ：表面実装 ピン数：3 チャンネルモード：エンハンスメント型 カテゴリー：小信号 最大パワー消費：360 mW 動作温度 Min：-55 、 Infineon OptiMOS(TM)パワーMOS(TM)ETファミリ. OptiMOS(TM)製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. Nチャンネル 強化モード 車載AEC Q101認定 MSL1最大260 ℃のピークリフロー 175 ℃の動作温度 環境配慮製品(鉛フリー) 超低Rds(on) |
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