| 仕様: | チャンネルタイプ：N 、 最大連続ドレイン電流：540 mA 、 最大ドレイン-ソース間電圧：55 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗：825 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧：2V 、 最低ゲートしきい値電圧：1.2V 、 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V 、 パッケージタイプ：SOT-23 、 実装タイプ：表面実装 、 トランジスタ構成：シングル 、 チャンネルモード：エンハンスメント型 、 カテゴリー：小信号 、 最大パワー消費：360 mW 、 標準入力キャパシタンス @ Vds：56 pF @ 25 V 、 Infineon OptiMOS(TM)パワーMOSFETファミリ. OptiMOS(TM)製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。 これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。Nチャンネル - 強化モード 車載AEC Q101認定 MSL1最大260 ℃のピークリフロー 175 ℃の動作温度 環境配慮製品(鉛フリー) 超低Rds(on) |
|---|
