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![]() | INFINEON Infineon Nチャンネル 小信号 MOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ:N●最大連続ドレイン電流:660 mA●最大ドレイン-ソース間電圧:200 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:1.8 Ω●最大ゲートしきい値電圧:1.8V●最低ゲートしきい値電圧:0.8V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOT-223●実装タイプ:表面実装●ピン数:3+Tab●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:小信号●最大パワー消費:1.8 W●標準ターンオフ遅延時間:49 ns●Infineon SIPMOSR NチャンネルMOSFET |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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