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2026/05/23 23:17:06

IRF7240PBF Infineon PチャンネルパワーMOSFET INFINEON 49260208

INFINEON
Infineon PチャンネルパワーMOSFET

大変申し訳ございませんが、この商品は取り扱いを終了いたしました。

注文コード	49260208
品番	IRF7240PBF
内容量	1セット(95個)
参考基準価格(税別)	オープン

仕様：	チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：10.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧：40 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：15 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：3V●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：SOIC●実装タイプ：表面実装●ピン数：8●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：2.5 W●トランジスタ素材：Si●PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様：

チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：10.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧：40 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：15 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：3V●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：SOIC●実装タイプ：表面実装●ピン数：8●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：2.5 W●トランジスタ素材：Si●PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。