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2026/05/23 23:03:23

IRFR9024NPBF Infineon PチャンネルパワーMOSFET INFINEON 49260244

INFINEON
Infineon PチャンネルパワーMOSFET

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注文コード	49260244
品番	IRFR9024NPBF
内容量	1セット(75個)
参考基準価格(税別)	オープン

仕様：	チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：11 A●最大ドレイン-ソース間電圧：55 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：175 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：4V●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：DPAK (TO-252)●実装タイプ：表面実装●ピン数：3●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：38 W●標準ターンオフ遅延時間：23 ns●PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様：

チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：11 A●最大ドレイン-ソース間電圧：55 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：175 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：4V●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：DPAK (TO-252)●実装タイプ：表面実装●ピン数：3●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：38 W●標準ターンオフ遅延時間：23 ns●PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。