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2026/05/24 06:42:35

IRFHM9391TRPBF Infineon PチャンネルパワーMOSFET INFINEON 49260278

INFINEON
Infineon PチャンネルパワーMOSFET

大変申し訳ございませんが、この商品は取り扱いを終了いたしました。

注文コード	49260278
品番	IRFHM9391TRPBF
内容量	1リール(4000個)
参考基準価格(税別)	オープン

仕様:	チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：11 A●最大ドレイン-ソース間電圧：30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：22.5 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：2.4V●最低ゲートしきい値電圧：1.3V●最大ゲート-ソース間電圧：-25 V， +25 V●パッケージタイプ：PQFN●実装タイプ：表面実装●ピン数：8●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：2.6 W●シリーズ：HEXFET●NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様:

チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：11 A●最大ドレイン-ソース間電圧：30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：22.5 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：2.4V●最低ゲートしきい値電圧：1.3V●最大ゲート-ソース間電圧：-25 V， +25 V●パッケージタイプ：PQFN●実装タイプ：表面実装●ピン数：8●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：2.6 W●シリーズ：HEXFET●NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。