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2026/05/24 09:28:57

IRF7424PBF Infineon PチャンネルパワーMOSFET INFINEON 49260296

INFINEON
Infineon PチャンネルパワーMOSFET

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注文コード	49260296
品番	IRF7424PBF
内容量	1セット(95個)
参考基準価格(税別)	オープン

仕様：	チャンネルタイプ：P 、最大連続ドレイン電流：11 A 、最大ドレイン-ソース間電圧：30 V 、最大ドレイン-ソース間抵抗：14 mΩ 、最大ゲートしきい値電圧：2.5V 、最低ゲートしきい値電圧：1V 、最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V 、パッケージタイプ：SOIC 、実装タイプ：表面実装、トランジスタ構成：シングル、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET 、最大パワー消費：2.5 W 、動作温度 Min：-55 ℃ 、 PチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様：

チャンネルタイプ：P 、最大連続ドレイン電流：11 A 、最大ドレイン-ソース間電圧：30 V 、最大ドレイン-ソース間抵抗：14 mΩ 、最大ゲートしきい値電圧：2.5V 、最低ゲートしきい値電圧：1V 、最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V 、パッケージタイプ：SOIC 、実装タイプ：表面実装、トランジスタ構成：シングル、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET 、最大パワー消費：2.5 W 、動作温度 Min：-55 ℃ 、 PチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。