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2026/05/24 03:29:28

SPP15P10PLHXKSA1 Infineon PチャンネルパワーMOSFET INFINEON 49260314

INFINEON
Infineon PチャンネルパワーMOSFET

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注文コード	49260314
品番	SPP15P10PLHXKSA1
内容量	1セット(50個)
参考基準価格(税別)	オープン

単価(税別)

￥8,498

仕様:	チャンネルタイプ：P 、最大連続ドレイン電流：11.3 A 、最大ドレイン-ソース間電圧：100 V 、最大ドレイン-ソース間抵抗：270 mΩ 、最大ゲートしきい値電圧：2V 、最低ゲートしきい値電圧：1V 、最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V 、パッケージタイプ：TO-220 、実装タイプ：スルーホール、トランジスタ構成：シングル、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET 、最大パワー消費：128 W 、動作温度 Max：+175 ℃ 、 Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・無鉛めっき、RoHS対応
RoHS指令(10物質対応):	対応

仕様:

チャンネルタイプ：P 、最大連続ドレイン電流：11.3 A 、最大ドレイン-ソース間電圧：100 V 、最大ドレイン-ソース間抵抗：270 mΩ 、最大ゲートしきい値電圧：2V 、最低ゲートしきい値電圧：1V 、最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V 、パッケージタイプ：TO-220 、実装タイプ：スルーホール、トランジスタ構成：シングル、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET 、最大パワー消費：128 W 、動作温度 Max：+175 ℃ 、 Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・無鉛めっき、RoHS対応

RoHS指令(10物質対応):

対応