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2026/05/24 00:11:23

IRF7420TRPBF Infineon PチャンネルパワーMOSFET INFINEON 49260339

INFINEON
Infineon PチャンネルパワーMOSFET

大変申し訳ございませんが、この商品は取り扱いを終了いたしました。

注文コード	49260339
品番	IRF7420TRPBF
内容量	1リール(4000個)
参考基準価格(税別)	オープン

仕様：	チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：11.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧：12 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：26 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：0.9V●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大ゲート-ソース間電圧：-8 V， +8 V●パッケージタイプ：SOIC●実装タイプ：表面実装●ピン数：8●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：2.5 W●シリーズ：HEXFET●PチャンネルパワーMOSFET 12 → 20 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
RoHS指令(10物質対応)：	対応

仕様：

チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：11.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧：12 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：26 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：0.9V●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大ゲート-ソース間電圧：-8 V， +8 V●パッケージタイプ：SOIC●実装タイプ：表面実装●ピン数：8●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：2.5 W●シリーズ：HEXFET●PチャンネルパワーMOSFET 12 → 20 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

RoHS指令(10物質対応)：

対応