Infineon PチャンネルパワーMOSFET INFINEON - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

https://www.monotaro.com/p/4926/0348/

2026/05/24 04:14:44

IRF7420TRPBF Infineon PチャンネルパワーMOSFET INFINEON 49260348

INFINEON
Infineon PチャンネルパワーMOSFET

大変申し訳ございませんが、この商品は取り扱いを終了いたしました。

注文コード	49260348
品番	IRF7420TRPBF
内容量	1袋(20個)
参考基準価格(税別)	オープン

仕様:	チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：11.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧：12 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：26 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：0.9V●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大ゲート-ソース間電圧：-8 V， +8 V●パッケージタイプ：SOIC●実装タイプ：表面実装●ピン数：8●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：2.5 W●標準ターンオン遅延時間：8.8 ns●PチャンネルパワーMOSFET 12 → 20 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
RoHS指令(10物質対応):	対応

仕様:

チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：11.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧：12 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：26 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：0.9V●最低ゲートしきい値電圧：0.4V●最大ゲート-ソース間電圧：-8 V， +8 V●パッケージタイプ：SOIC●実装タイプ：表面実装●ピン数：8●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：2.5 W●標準ターンオン遅延時間：8.8 ns●PチャンネルパワーMOSFET 12 → 20 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

RoHS指令(10物質対応):

対応