Infineon PチャンネルパワーMOSFET INFINEON - 制御機器/はんだ・静電気対策用品>制御機器>電子部品(オンボード)>能動部品>ディスクリート>ディスクリートその他関連用品 -

https://www.monotaro.com/p/4926/0366/

2026/05/24 00:44:49

IRF9Z24NSTRLPBF Infineon PチャンネルパワーMOSFET INFINEON 49260366

INFINEON
Infineon PチャンネルパワーMOSFET

大変申し訳ございませんが、この商品は取り扱いを終了いたしました。

注文コード	49260366
品番	IRF9Z24NSTRLPBF
内容量	1袋(10個)
参考基準価格(税別)	オープン

仕様：	チャンネルタイプ：P 、最大連続ドレイン電流：12 A 、最大ドレイン-ソース間電圧：55 V 、最大ドレイン-ソース間抵抗：175 mΩ 、最大ゲートしきい値電圧：4V 、最低ゲートしきい値電圧：2V 、最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V 、パッケージタイプ：D2PAK (TO-263) 、実装タイプ：表面実装、ピン数：3 、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET 、最大パワー消費：45 W 、動作温度 Max：+175 ℃ 、 PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
RoHS指令(10物質対応)：	対応

仕様：

チャンネルタイプ：P 、最大連続ドレイン電流：12 A 、最大ドレイン-ソース間電圧：55 V 、最大ドレイン-ソース間抵抗：175 mΩ 、最大ゲートしきい値電圧：4V 、最低ゲートしきい値電圧：2V 、最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V 、パッケージタイプ：D2PAK (TO-263) 、実装タイプ：表面実装、ピン数：3 、チャンネルモード：エンハンスメント型、カテゴリー：パワーMOSFET 、最大パワー消費：45 W 、動作温度 Max：+175 ℃ 、 PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

RoHS指令(10物質対応)：

対応