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2026/05/24 02:32:52

IRF9388TRPBF Infineon PチャンネルパワーMOSFET INFINEON 49260375

INFINEON
Infineon PチャンネルパワーMOSFET

大変申し訳ございませんが、この商品は取り扱いを終了いたしました。

注文コード	49260375
品番	IRF9388TRPBF
内容量	1リール(4000個)
参考基準価格(税別)	オープン

仕様：	チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：12 A●最大ドレイン-ソース間電圧：30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：11.9 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：2.4V●最低ゲートしきい値電圧：1.3V●最大ゲート-ソース間電圧：-25 V， +25 V●パッケージタイプ：SOIC●実装タイプ：表面実装●トランジスタ構成：シングル●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：2.5 W●トランジスタ素材：Si●PチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

仕様：

チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：12 A●最大ドレイン-ソース間電圧：30 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：11.9 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：2.4V●最低ゲートしきい値電圧：1.3V●最大ゲート-ソース間電圧：-25 V， +25 V●パッケージタイプ：SOIC●実装タイプ：表面実装●トランジスタ構成：シングル●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：2.5 W●トランジスタ素材：Si●PチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。