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2026/05/24 02:15:29

IRFU6215PBF Infineon PチャンネルパワーMOSFET INFINEON 49260436

INFINEON
Infineon PチャンネルパワーMOSFET

大変申し訳ございませんが、この商品は取り扱いを終了いたしました。

注文コード	49260436
品番	IRFU6215PBF
内容量	1セット(75個)
参考基準価格(税別)	オープン

仕様:	チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：13 A●最大ドレイン-ソース間電圧：150 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：580 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：4V●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：IPAK (TO-251)●実装タイプ：スルーホール●トランジスタ構成：シングル●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：110 W●標準ターンオフ遅延時間：53 ns●PチャンネルパワーMOSFET 100 V → 150 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
RoHS指令(10物質対応):	対応

仕様:

チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：13 A●最大ドレイン-ソース間電圧：150 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：580 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：4V●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：IPAK (TO-251)●実装タイプ：スルーホール●トランジスタ構成：シングル●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：110 W●標準ターンオフ遅延時間：53 ns●PチャンネルパワーMOSFET 100 V → 150 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

RoHS指令(10物質対応):

対応