| 仕様: | チャンネルタイプ：P 、 最大連続ドレイン電流：13 A 、 最大ドレイン-ソース間電圧：100 V 、 最大ドレイン-ソース間抵抗：210 mΩ 、 最大ゲートしきい値電圧：4V 、 最低ゲートしきい値電圧：2V 、 最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V 、 パッケージタイプ：DPAK (TO-252) 、 実装タイプ：表面実装 、 トランジスタ構成：シングル 、 チャンネルモード：エンハンスメント型 、 カテゴリー：パワーMOSFET 、 最大パワー消費：66 W 、 動作温度 Min：-55 ℃ 、 車載用PチャンネルパワーMOSFET、Infineon. Infineonの車載製品向けAECQ-101認定済み、シングルダイNチャンネルデバイスの充実したポートフォリオは、さまざまな用途における幅広い電源要件に対応します。 International RectifierのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、表面実装及びリード付きパッケージ内のPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。 |
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