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| https://www.monotaro.com/p/4926/0734/ | 2026/05/24 05:34:15 |
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INFINEON
Infineon Pチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様： | チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：360 mA●最大ドレイン-ソース間電圧：100 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：2.2 Ω●最大ゲートしきい値電圧：1V●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大ゲート-ソース間電圧：20 V●パッケージタイプ：SC-59●実装タイプ：表面実装●トランジスタ構成：シングル●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：500 mW●標準ターンオフ遅延時間：71 ns |
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| RoHS指令(10物質対応)： | 対応 |
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