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| https://www.monotaro.com/p/4926/0734/ | 2026/05/24 05:34:15 |
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INFINEON
Infineon Pチャンネル パワーMOSFET |
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| 仕様: | チャンネルタイプ:P●最大連続ドレイン電流:360 mA●最大ドレイン-ソース間電圧:100 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:2.2 Ω●最大ゲートしきい値電圧:1V●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大ゲート-ソース間電圧:20 V●パッケージタイプ:SC-59●実装タイプ:表面実装●トランジスタ構成:シングル●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:500 mW●標準ターンオフ遅延時間:71 ns |
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| RoHS指令(10物質対応): | 対応 |
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